Учебное пособие
Кафедра физической электроники
Библиографическая запись:
Оглавление (содержание)
ПРЕДИСЛОВИЕ
1. СОЗДАНИЕ УПОРЯДОЧЕННЫХ КВАНТОВЫХ НАНОСТРУКТУР
1.1. Два подхода к изготовлению структур в нанотехнологиях
1.2. Методы получения упорядоченных наноструктур
1.2.1. Эпитаксиальные методы получения наноструктур
1.2.2. ИМПУЛЬСНОЕ ЛАЗЕРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ (ИЛО)
1.2.3. Распылительное осаждение
1.2.4. Методы химического осаждения пленок
1.2.5. Химическое осаждение из растворов
1.2.6. Пленки Ленгмюра–Блоджетт (Л-Б)
1.3. Искусственное наноформообразование
1.3.1. Напряженные полупроводниковые гетероструктуры и приготовление из них нанотрубок
1.3.2. Метод изготовления нанотрубок самосворачиванием полупроводниковых гетерослоев
1.3.3. Формирование полупроводниковых и металлических нановолокон и спиралей
2. НАНОЛИТОГРАФИЯ
2.1. Проекционная фотолитография
2.2. Иммерсионная литография КУФ-диапазона
2.3. Установки с преломляющей и отражающей оптиками
2.4. Литография ЭУФ-диапазона
3. ЛИТОГРАФИЯ СКАНИРУЮЩИМИ ЭЛЕКТРОННЫМИ И ИОННЫМИ ПУЧКАМИ
3.1. Электронно-лучевая литография
3.2. SCALPEL
3.3. Применение ЭЛЛ для изготовления структур наноэлектроники
3.4. Ионно-лучевая литография (ИЛЛ)
3.5. Безмасочная литография (direct writing)
4. НАНОИМПРИНТИНГОВАЯ ЛИТОГРАФИЯ
5. СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ЗОНДАМИ СЗМ
5.1. Основные понятия
5.2. Основы сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ)
5.2.1. Сканирующая туннельная микроскопия
5.2.2. Технологическое применение СТМ
5.3. Атомно-силовая микроскопия
5.3.1. Основы работы АСМ
5.3.2. Методики работы АСМ
5.3.3. Электросиловая микроскопия
5.3.4. Магнитно-силовая микроскопия
5.3.5. Анализ химсостава
5.3.6. Локальное анодное окисление зондом АСМ
5.3.7. Локальная зарядка поверхности
5.4. СЗМ-нанолитография
5.4.1. Силовая литография (plowing lithography)
5.4.2. Перьевая нанолитография (Dip-pen nanolithography)
5.4.3. Электронно-лучевая СЗМ литография
5.4.4. Ближнепольная литография
5.4.5. Термическая нанолитография
6. ИССЛЕДОВАНИЕ И ИЗГОТОВЛЕНИЕ НАНОСТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ СФОКУСИРОВАННОГО ИОННОГО ПУЧКА (FIB-ТЕХНОЛОГИЯ)
6.1. Основы FIB-технологии
6.2. Анализ технологии и топологии ИМС с помощью остросфокусированного ионного пучка
6.3. Воздействие сфокусированным пучком заряженных частиц. FIB-литография
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ
Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники
11.04.04 Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) Очная форма обучения, план набора 2020 г. План в архиве
Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники
11.04.04 Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) Очная форма обучения, план набора 2021 г. План в архиве
Основы технологии электронной компонентной базы
11.03.04 Электроника и наноэлектроника (Квантовая и оптическая электроника) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве
Основы технологии электронной компонентной базы
11.03.04 Электроника и наноэлектроника (Квантовая и оптическая электроника) Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве
Основы технологии электронной компонентной базы
11.03.04 Электроника и наноэлектроника (Квантовая и оптическая электроника) Очная форма обучения, план набора 2017 г. План в архиве
Методы диагностики полупроводниковых структур
11.04.04 Электроника и наноэлектроника (Приборы и методы контроля) Очная форма обучения, план набора 2022 г. План в архиве
Современные микро- и нанотехнологии
11.04.04 Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) Очная форма обучения, план набора 2021 г. План в архиве
Основы технологии электронной компонентной базы
11.03.04 Электроника и наноэлектроника (Квантовая и оптическая электроника) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве
Основы технологии электронной компонентной базы
11.03.04 Электроника и наноэлектроника (Квантовая и оптическая электроника) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве
Основы технологии электронной компонентной базы
11.03.04 Электроника и наноэлектроника (Квантовая и оптическая электроника) Очная форма обучения, план набора 2015 г. План в архиве
Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники
11.04.04 Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) Очная форма обучения, план набора 2017 г. План в архиве
Современные микро- и нанотехнологии
11.04.04 Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) Очная форма обучения, план набора 2020 г. План в архиве
Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники
11.04.04 Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве