Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Исследование импульсных свойств биполярного транзистора

Методические указания к лабораторной работе для студентов специальности 210601.65 - "Радиоэлектронные системы и комплексы"

Исследование импульсных свойств биполярного транзистора: методические указания к лабораторной работе для студентов специальности 210601.65 - Радиоэлектронные системы и комплексы / С.И. Арестов, А.С. Шангин; Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра электронных приборов. - Томск: ТУСУР, 2014. - 14 с. Настоящая лабораторная работа посвящена исследованию биполярного транзистора в ключевом режиме. В работе измеряются основные импульсные параметры и исследуются их зависимость от степени насыщения, а также исследуется влияние нелинейной обратной связи на быстродействие ключа. Пособие предназначено для студентов очной и заочной форм, обучающихся по специальности 210601.65 - Радиоэлектронные системы и комплексы по дисциплине «Электроника 2. Электронные приборы».

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Арестов, С. И. Исследование импульсных свойств биполярного транзистора: Методические указания к лабораторной работе для студентов специальности 210601.65 - "Радиоэлектронные системы и комплексы" [Электронный ресурс] / С. И. Арестов, А. С. Шангин. — Томск: ТУСУР, 2014. — 14 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/4156
Год издания: 2014
Количество страниц: 14
Скачиваний: 78

Оглавление (содержание)

1.Введение

2.Теоретическая часть

2.1 Ключевой режим работы транзисторов

2.2 Повышение быстродействия ключа

2.3 Контрольные вопросы

3. Экспериментальная часть

3.1 Задание

3.2 Описание лабораторного стенда

3.3 Методические указания

3.4 Содержание отчета

4. Рекомендуемая литература