Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Изучение фотопроводимости полупроводников и определение времени жизни неравновесных носителей заряда

Руководство к лабораторной работе

В работе изучается явление фотопроводимости в полупроводниках при импульсном освещении. Определяется время жизни неравновесных носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микро- и наноэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.03 - «Конструирование и технология электронных средств».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Изучение фотопроводимости полупроводников и определение времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе [Электронный ресурс] / М. М. Славникова. — Томск: ТУСУР, 2018. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/7769
Автор:   Славникова М. М.
Год издания: 2018
Количество страниц: 10
Скачиваний: 142

Оглавление (содержание)

1. ВВЕДЕНИЕ 2

2. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ОСВЕЩЕНИИ 2

3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КРИВЫХ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ 6

4. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА 8

5. ЗАДАНИЕ 9

6. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 10

7. СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 10

List icon

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2015 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2015 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2015 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Похожие пособия

Исследование фотопроводимости в полупроводниках: Методическое пособие к лабораторной работе / Давыдов В. Н. — 2012. 25 с.

Исследование фотопроводимости в полупроводниках: Методическое пособие к лабораторной работе / Давыдов В. Н. — 2011. 25 с.

Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Давыдов В. Н. — 2022. 20 с.

Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов: Методические указания к лабораторной работе / Давыдов В. Н. — 2022. 26 с.

Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов: Методические указания к лабораторной работе / Давыдов В. Н. — 2018. 23 с.

Научно-образовательный портал ТУСУРа

При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта edu.tusur.ru активная ссылка на сайт ТУСУРа обязательна.

Интересующие вас вопросы можно задать в личном кабинете

Задать вопрос