Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника методом измерения обратных токов электроннодырочного перехода

Руководство к лабораторной работе

В работе изучается образование p-n перехода, его вольтамперная характеристика. По зависимости обратного тока от температуры определяется ширина запрещенной зоны полупроводника. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микро- и наноэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.03 - «Конструирование и технология электронных средств».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника методом измерения обратных токов электроннодырочного перехода: Руководство к лабораторной работе [Электронный ресурс] / М. М. Славникова. — Томск: ТУСУР, 2018. — 9 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/7834
Автор:   Славникова М. М.
Год издания: 2018
Количество страниц: 9
Скачиваний: 216

Оглавление (содержание)

1. Введение 2

2. Энергетический спектр электронов в кристалле 2

3. Электронно-дырочный переход 5

4. Описание установки 8

5. Порядок выполнения работы 8

6. Контрольные вопросы 9

7. Рекомендуемая литература 9

List icon

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Похожие пособия

Физические основы микро- и наноэлектроники: Сборник задач и методические указания по проведению практических занятий / Славникова М. М., Несмелов Н. С. — 2015. 32 с.

Твердотельная электроника: Учебное пособие / Троян П. Е. — 2006. 330 с.

Наноэлектроника: Учебное пособие / Дробот П. Н. — 2016. 286 с.

Основы оптоэлектроники: Учебное пособие / Давыдов В. Н. — 2022. 95 с.

Наноэлектроника: Учебное пособие / Сахаров Ю. В., Троян П. Е. — 2010. 88 с.

Научно-образовательный портал ТУСУРа

При полном или частичном использовании текстовых и графических материалов с сайта edu.tusur.ru активная ссылка на сайт ТУСУРа обязательна.

Интересующие вас вопросы можно задать в личном кабинете

Задать вопрос