Проектирование и технология электронной компонентной базы. Основы сапр synopsys tcad

Предисловие

1. Приборно-технологическое моделирование (TCAD)

2. Описание Synopsys TCAD .

3. Виртуальное производство с использованием Synopsys TCAD

4. Возможности Synopsys TCAD для физического моделирования полупроводниковых светодиодов

4.1. Моделирование квантовых ям

4.2. Одномерное стационарное уравнение Шредингера

4.3. kp-метод

4.4. Взаимосвязь электрической и оптической моделей

4.5. Выводы

5. Работа с модулями Synopsys TCAD

5.1. Sentaurus Process

5.1.1. Задание начальной двухмерной сетки

5.1.2. Область моделирования и инициализация

5.1.3. Ионная имплантация

5.1.4. Выращивание подзатворного окисла

5.1.5. Создание поликремниевого затвора

5.1.6. Работа с масками

5.1.7. Окисление поликремния

5.1.8. Контактные площадки

5.1.9. Сохранение всей структуры

5.1.10. Сохранение одномерных разрезов

5.2. Sentaurus Device

5.2.1. Входной командный файл Sentaurus Device

5.2.1.1. Секция File

5.2.1.2. Секция Electrode

5.2.1.3. Секция Physics

5.2.1.4. Секция Plot

5.2.1.5. Секция Math

5.2.1.6. Секция Solve

5.2.2. Запуск Sentaurus Device

5.2.3. Результаты расчета

5.3. Sentaurus Inspect

5.3.1. Запуск Inspect

5.3.2. Загрузка наборов данных

5.3.2.1. Форматы файлов

5.3.2.2. Загрузка

5.3.3. Отображение наборов данных

5.4. Sentaurus Workbench

5.4.1. Запуск Sentaurus Workbench

5.4.2. Запуск проектов

5.4.3. Отображение результатов

5.4.4. Выбор узлов

Удаление проектов

5.4.6. Создание проектов

5.4.6.1. Создание маршрута модулей

5.4.6.2. Сохранение проектов

5.4.7. Выполнение экспериментов

5.4.7.1. Добавление параметров

5.4.7.2. Создание множества экспериментов

5.4.7.3. Предварительная обработка и запуск проектов

6. Примеры использования Synopsys TCAD

6.1. Пример 1. Полупроводниковый резистор на полуизолирующей подложке GaAs

6.1.1. Создание нового проекта и задание структуры устройства

6.1.2. Создание командного файла Sentaurus Device

6.1.3. Результаты моделирования

6.2. Пример 2. Диод Шоттки на подложке GaAs

6.2.1. Модификация структуры прибора

6.2.2. Модификация командного файла Sentaurus Device

6.2.3. Результаты моделирования

6.3. Пример 3. Полевой транзистор Шоттки на подложке GaAs

6.3.1. Модификация командного файла Sentaurus Device

6.3.2. Результаты моделирования

6.4. Пример 4. AlGaAs/GaAs транзистор

6.4.1. Модификация структуры

6.4.2. Модификация командного файла SDevice

6.4.3. Результаты моделирования

Список литературы

Приложение. Вопросы для самотестирования