Top.Mail.Ru
Научно-образовательный портал ТУСУР | Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе / Славникова М. М. — 2018. 15 с.
Сайты ТУСУРа
Научно-образовательный портал ТУСУР
☰

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда

Руководство к лабораторной работе

Диффузионная длина неосновных неравновесных носителей заряда является важным параметром полупроводникового материала, характеризующим степень его чистоты и его пригодность для производства полупроводниковых приборов. Целью настоящей работы является определение диффузионной длины неосновных неравновесных носителей заряда. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микро- и наноэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.03 - «Конструирование и технология электронных средств».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе [Электронный ресурс] / М. М. Славникова. — Томск: ТУСУР, 2018. — 15 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/7835
Автор:   Славникова М. М.
Год издания: 2018
Количество страниц: 15
Скачиваний: 179

Оглавление (содержание)

1. ВВЕДЕНИЕ 2

2. ПОНЯТИЕ ОБ ОСНОВНЫХ И НЕОСНОВНЫХ' НОСИТЕЛЯХ ЗАРЯДА 2

3. РАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ 3

5. ВРЕМЯ ЖИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ 6

6. ФИЗИЧЕСКИЙ СМЫСЛ ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ

НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА 7

7. ИЗМЕРЕНИЕ ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ

НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА 9

8. ПОРЯДОК РАБОТЫ 12

9. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 14

10. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 14

List icon

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Физические основы микроэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование электронных средств космических аппаратов) Очная форма обучения, план набора 2025 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Похожие пособия

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М. — 2022. 13 с.

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу « Физические основы микро- и наноэлектрони- ки» для студентов специальности «Конструирование и производство радиоэлек- тронных средств» / Славникова М. М. — 2015. 14 с.

Изучение фотопроводимости полупроводников и определение времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе / Славникова М. М. — 2018. 10 с.

Изучение фотопроводимости полупроводников и определение времени жизни неравновесных носителей заряда: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М., Артищев С. А. — 2022. 11 с.

Концепции современного естествознания: Курс лекций / Карлова Г. Ф., Смирнов Г. В. — 2012. 187 с.

  • Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
  • Address 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
  • Phone (3822) 51-05-30
  • Printer (3822) 51-32-62, 52-63-65
  • Email office@tusur.ru
  • Time Пн. – пт., 8:30 – 17:30, обед, 13:00 – 14:00