Методы и оборудование контроля параметров технологических процессов производства наногетероструктур и наногетероструктурных монолитных интегральных схем

Предисловие

1. Методы оптической инфракрасной спектроскопии

1.1. Инфракрасная спектроскопия

1.2. Устройство Фурье-спектрометров

1.3. Спектроскопия комбинационного рассеяния

2. Лазерная эллипсометрия

2.1. Эллипсометрические методы исследования оптических свойств структур «диэлектрик-полупроводник»

2.2. Методика измерений эллипсометрических параметров

2.3. Применение эллипсометрии в научных исследованиях и в технологиях

3. Дифракция медленных электронов

4. Масс-спектрометрия вторичных ионов

4.1. Физические основы

4.2 Аппаратная реализация

4.3 Основные характеристики и область применения масс-спектроскопии вторичных ионов

5. Электронная оже-спектроскопия

5.1. Физические основы

5.2. Аппаратная реализация

5.3. Основные характеристики и области применения оже-спектроскопии

6. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

6.1. Физические основы

6.2. Картирование поверхности – определение распределения компонентов

6.3. Распылительное профилирование

7. Электронная микроскопия

7.1. Растровая электронная микроскопия

7.2. Просвечивающая электронная микроскопия

7.3. Электронные эмиссионные микроскопы

7.4. Рентгеноспектральный анализ

8. Сканирующая зондовая микроскопия

8.1. Принцип действия силового туннельного микроскопа

8.2. Измерение вольт-амперных характеристик туннельного контакта

8.3. Туннельная спектроскопия

8.3.1. Вольт-амперная характеристика контакта «металл-металл»

8.3.2. Вольт-амперная характеристика контакта «металл-полупроводник»

8.4. Измерение локальной работы выхода в сканирующем туннельном микроскопе

8.5. Атомно-силовой микроскоп

8.6. Исследование топологии интегральных микросхем методами сканирующей зондовой микроскопии

8.7. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники

Список литературы

Приложение. Вопросы для самотестирования