Войти

Научно-образовательный портал ТУСУР

Научно-образовательный портал ТУСУР

Измерение подвижности носителей заряда

Руководство к лабораторной работе

В работе рассматривается прямой метод измерения подвижности неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микро- и наноэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.03 - «Конструирование и технология электронных средств».

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Библиографическая запись:

Славникова, М. М. Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе [Электронный ресурс] / М. М. Славникова. — Томск: ТУСУР, 2018. — 7 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/7760

Автор: Славникова М. М.

Год издания: 2018

Количество страниц: 7

Скачиваний: 180

Оглавление (содержание)

1. ВВЕДЕНИЕ 2

2. ДВИЖЕНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ОТСУТСТВИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ 2

3. ДВИЖЕНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ 3

4. ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА 3

5. ПРЯМОЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА 4

6. ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА 6

7. ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПОДГОТОВКИ 7

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 7

Пособие используется для изучения 22 дисциплин

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2015 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2015 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микроэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование электронных средств космических аппаратов) Очная форма обучения, план набора 2025 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2023 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Электронные технологии наземного и космического назначения) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2019 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2016 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2015 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология электронно-вычислительных средств) Очная форма обучения, план набора 2018 г. План в архиве

Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2021 г.

Похожие пособия

Измерение подвижности носителей заряда: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М. — 2022. 8 с.

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М. — 2022. 13 с.

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу « Физические основы микро- и наноэлектрони- ки» для студентов специальности «Конструирование и производство радиоэлек- тронных средств» / Славникова М. М. — 2015. 14 с.

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе / Славникова М. М. — 2018. 15 с.

Физика полупроводников: Учебно-методическое пособие по лабораторным работам для студентов направлений подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», профиль «Микроэлектроника и твердотельная электроника», 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника», профиль «Нанотехнологии в электронике и микросистемной технике» / Саврук Е. В., Каранский В. В., Смирнов С. В. — 2016. 37 с.

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
634050, г. Томск, пр. Ленина, 40
(3822) 51-05-30
(3822) 51-32-62, 52-63-65
office@tusur.ru
Пн. – пт., 8:30 – 17:30, обед, 13:00 – 14:00